La instalación, denominada Onyang Planta No. 5, incluye tres pisos de salas limpias que cubren alrededor de 31,000 metros cuadrados —equivalente a más de cuatro canchas de fútbol estándar— y cinco líneas de producción de back-end, incluyendo empaquetado HBM4E. Al completarse, el campus de Onyang expandirá su área total de empaquetado de 270,000 a 420,000 metros cuadrados. El acto de inauguración fue encabezado por el presidente de Samsung Electronics, Jay Y. Lee, y contó con la asistencia del presidente de Corea del Sur, Lee Jae-myung, quien calificó el proyecto como el primero de los 'megaproyectos de gran salto' del gobierno para el desarrollo industrial regional.
La inversión en Onyang forma parte de un compromiso más amplio de 60 billones de wones de Samsung Electronics en Onyang y Cheonan para crear una base global de producción de HBM, y de un plan conjunto de cuatro filiales de Samsung por 144 billones de wones en la región de Chungcheong. La producción de HBM de Samsung se proyecta crecerá en promedio 52% anual durante los próximos tres años, impulsada por la demanda de servidores de IA de fabricantes como Nvidia y AMD. La HBM es la memoria de alta velocidad que se instala directamente junto a los aceleradores de IA en los servidores de los centros de datos.